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BAS21AHT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA
=25?C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 200 Vdc)
(VR
= 200 Vdc, TJ
= 150?C)
IR
--
--
--
--
40
100
nAdc
mAdc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR
= 100
mAdc)
V(BR)
250
--
--
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 100 mAdc)
(IF
= 200 mAdc)
VF
--
--
--
--
1000
1250
mV
Diode Capacitance
(VR
=0,f=1.0MHz)
CD
--
--
5.0
pF
Reverse Recovery Time
(IF
=IR
=30mAdc,RL
= 100
Ω)
trr
--
50
--
ns
Notes: 1. A 2.0 kΩ
variable resistor adjusted for a Forward Current (IF)of30mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 30 mA.
Notes:
3. tp
?trr
+10 V
2.0 k
820
Ω
0.1
mF
D.U.T.
VR
100
mH
0.1
mF
50
Ω
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
Ω
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
=3.0mA
OUTPUT PULSE
(IF
=IR
= 30 mA; MEASURED
at iR(REC)
=3.0mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Reverse Leakage
FORWARD CURRENT (mA)
7000
REVERSE CURRENT (nA)
REVERSE VOLTAGE (V)
5000
3000
5
0
2
1
6000
4000
6
5 10 20 50 100 200
300
1
2
3
4
TA
=--55?C
TA
= 155?C
TA
=25?C
TA=--55?C
1 10 100 1000
1
200
400
600
800
1000
1200
FORWARD VOLTAGE (mV)
155?C
25?C
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